제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 2SC3356-T1B-R25-A

CEL 2SC3356-T1B-R25-A

부품 번호
2SC3356-T1B-R25-A
제조사
CEL
기술
SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

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제품 매개 변수
부품 번호2SC3356-T1B-R25-A
부품 상태Obsolete
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)12V
빈도 - 전환7GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득11.5dB
전력 - 최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)100mA
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지SOT-23-3
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