| 部品番号 | IRFD024 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Ta) |
| 駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
| Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 25nC @ 10V |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 640pF @ 25V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力(最大) | 1.3W (Ta) |
| Rds On(Max)@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
在庫あり: 22400