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| Número da peça | IRFD024 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Pacote / Caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Em estoque: 1656
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Em estoque: 2695
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Em estoque: 800
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Em estoque: 1008
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Em estoque: 22400
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Em estoque: 0
