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| Numero de parte | IRFD024 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paquete / caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
En stock: 1656
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
En stock: 2695
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
En stock: 800
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
En stock: 1008
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
En stock: 22400
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
En stock: 0
