部品番号 | IRF1010ESTRLPBF |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 84A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 130nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3210pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 200W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
在庫あり: 22400