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| 部品番号 | APT77N60JC3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 77A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 640nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 568W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 35 mOhm @ 60A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
メーカー: Microsemi Corporation
説明: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
在庫あり: 0
メーカー: Microsemi Corporation
説明: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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