provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero di parte | MSFC110-08 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Struttura | Series Connection - All SCRs |
| Numero di SCR, diodi | 1 SCR, 1 Diode |
| Voltaggio - Off State | 800V |
| Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 110A |
| Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
| Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 50Hz |
| Corrente - Attesa (Ih) (Max) | 250mA |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD THYRISTOR/DIODE F2
Disponibile: 0
