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| Artikelnummer | MSFC110-08 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Struktur | Series Connection - All SCRs |
| Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR, 1 Diode |
| Spannung - Aus Zustand | 800V |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | 110A |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | - |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 50Hz |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 250mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD THYRISTOR/DIODE F2
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