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| Numero de parte | MSFC110-08 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Estructura | Series Connection - All SCRs |
| Número de SCR, diodos | 1 SCR, 1 Diode |
| Voltaje - Estado apagado | 800V |
| Actual - En estado (It (AV)) (Máx) | 110A |
| Actual - En estado (It (RMS)) (Max) | - |
| Voltaje - Disparador de puerta (Vgt) (Máx) | 3V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 50Hz |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 250mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIO DBLR 110A SF1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 130A D1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOD THYRISTOR DIODE DBLR 160A D1
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