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| Numero di parte | APTGT100DH170G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Asymmetrical Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 560W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 350µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 1200V 140A SP3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 600V 150A SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
Disponibile: 7
