Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGT100A1202G

Microsemi Corporation APTGT100A1202G

Numero di parte
APTGT100A1202G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOD IGBT 1200V 140A SP2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Etichetta del prezzo:
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Parametro del prodotto
Numero di parte APTGT100A1202G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 140A
Potenza - Max 480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso SP2
Pacchetto dispositivo fornitore SP2
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