provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APTGT100DH170G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Asymmetrical Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1700V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150A |
| Leistung max | 560W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 140A SP2
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 140A SP3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 600V 150A SP2
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
Auf Lager: 7
