Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array 2N7334

Microsemi Corporation 2N7334

Numero di parte
2N7334
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parte2N7334
Stato parteActive
Tipo FET4 N-Channel
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / caso14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitoreMO-036AB
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