provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | 2N7334 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | 4 N-Channel |
| FET-ominaisuus | Standard |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 100V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Teho - Max | 1.4W |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Toimittajan laitepaketti | MO-036AB |
