Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 0910-150M

Microsemi Corporation 0910-150M

Numero di parte
0910-150M
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 74 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

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  • 10 pcs

    172.26750/pcs
Totale:172.26750/pcs Unit Price:
172.26750/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 0910-150M
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Frequenza - Transizione 890MHz ~ 1GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 8.1dB ~ 8.5dB
Potenza - Max 400W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Corrente - Collector (Ic) (Max) 12A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55KT
Pacchetto dispositivo fornitore 55KT
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