Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 0910-60M

Microsemi Corporation 0910-60M

Numero di parte
0910-60M
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AW
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 74 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

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    170.05900/pcs
Totale:170.05900/pcsUnit Price:
170.05900/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte0910-60M
Stato parteActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)65V
Frequenza - Transizione890MHz ~ 1GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8dB ~ 8.5dB
Potenza - Max180W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collector (Ic) (Max)8A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55AW
Pacchetto dispositivo fornitore55AW
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