Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF 0910-150M

Microsemi Corporation 0910-150M

Número da peça
0910-150M
Fabricante
Microsemi Corporation
Descrição
TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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172.26750/pcs		 Preço alvo:
 Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça 0910-150M
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 65V
Frequência - Transição 890MHz ~ 1GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) -
Ganho 8.1dB ~ 8.5dB
Power - Max 400W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Temperatura de operação 200°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso 55KT
Pacote de dispositivos de fornecedores 55KT
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Descrição: TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1

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0910-2-57-20-75-14-11-0

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Descrição: CONN PIN SPRING LOAD .197 AU SMD

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