집 제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 0910-150M

Microsemi Corporation 0910-150M

부품 번호
0910-150M
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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제품 매개 변수
부품 번호 0910-150M
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 65V
빈도 - 전환 890MHz ~ 1GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 8.1dB ~ 8.5dB
전력 - 최대 400W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce -
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 12A
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 55KT
공급 업체 장치 패키지 55KT
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