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| Numero di parte | SPU07N60C3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Disponibile: 384
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Disponibile: 380
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
Disponibile: 0
fabbricante: Knowles
Descrizione: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
Disponibile: 148200
