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| Artikelnummer | SPU07N60C3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Auf Lager: 384
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Auf Lager: 380
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
Auf Lager: 0
Hersteller: Knowles
Beschreibung: MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB
Auf Lager: 148200
