Infineon Technologies SPU07N60C3

Osa numero: SPU07N60C3
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
1.01000/pcs
10 pcs
0.95850/pcs
100 pcs
0.77035/pcs
500 pcs
0.59916/pcs
1,000 pcs
0.49645/pcs

Kaikki yhteensä:1.01000/pcs

Unit Price:

1.01000/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	SPU07N60C3
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.6A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	PG-TO251-3
Pakkaus / kotelo	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA