Infineon Technologies SPU01N60C3

Numero di parte: SPU01N60C3
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
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10 pcs
0.48750/pcs
100 pcs
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Unit Price:

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	SPU01N60C3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	11W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO251-3
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA