Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli GSID100A120S5C1

Global Power Technologies Group GSID100A120S5C1

Numero di parte
GSID100A120S5C1
fabbricante
Global Power Technologies Group
Descrizione
IGBT MODULE 1200V 170A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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59.73000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte GSID100A120S5C1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 170A
Potenza - Max 650W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
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