Global Power Technologies Group GSID100A120T2C1A

Numero di parte: GSID100A120T2C1A
fabbricante: Global Power Technologies Group
Descrizione: SILICON IGBT MODULES
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - IGBT - Moduli

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
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Parametro del prodotto

Numero di parte	GSID100A120T2C1A
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	200A
Potenza - Max	800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V
Ingresso	Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module