Global Power Technologies Group GSID100A120T2C1A

Numero de parte: GSID100A120T2C1A
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Módulos

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Parámetro del producto

Numero de parte	GSID100A120T2C1A
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
Potencia - Max	800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V
Entrada	Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC	Yes
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module