Número da peça | GSID100A120S5C1 |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 170A |
Power - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | Module |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Module |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: IGBT MODULE 1200V 170A
Em estoque: 7
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: IGBT MODULE 1200V 285A
Em estoque: 6
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0