Numéro d'article | GSID100A120S5C1 |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 170A |
Puissance - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | Module |
Package de périphérique fournisseur | Module |
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: IGBT MODULE 1200V 170A
En stock: 7
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
En stock: 0
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
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Fabricant: Global Power Technologies Group
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: IGBT MODULE 1200V 285A
En stock: 6
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: SILICON IGBT MODULES
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