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| Numero di parte | ZXMN6A09DN8TC |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
Disponibile: 55000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Disponibile: 6000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Disponibile: 42000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
Disponibile: 17500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Disponibile: 0
