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| Numero de parte | ZXMN6A09DN8TC |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Potencia - Max | 1.25W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
En stock: 55000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
En stock: 6000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
En stock: 42000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
En stock: 17500
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
En stock: 0
