Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMN6A09DN8TC

Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TC

Numéro d'article
ZXMN6A09DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'articleZXMN6A09DN8TC
État de la pièceObsolete
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET CaractéristiqueLogic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1407pF @ 40V
Puissance - Max1.25W
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur8-SOP
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