Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMTH6004SCT

Diodes Incorporated DMTH6004SCT

Numero di parte
DMTH6004SCT
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 60V 100A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 50 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.02000/pcs
  • 50 pcs

    0.82500/pcs
  • 100 pcs

    0.74250/pcs
  • 500 pcs

    0.57750/pcs
  • 1,000 pcs

    0.47850/pcs
Totale:1.02000/pcs Unit Price:
1.02000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMTH6004SCT
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.65 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3
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