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| Numero di parte | DMTH10H015LPS-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta), 44A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI5060-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 100V 108A TO220AB
Disponibile: 79
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
Disponibile: 2400
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Disponibile: 25000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET NCH 100V 28A TO252
Disponibile: 0
