Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMTH6004SCT

Diodes Incorporated DMTH6004SCT

Artikelnummer
DMTH6004SCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 60V 100A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:1.02000/pcs Unit Price:
1.02000/pcs
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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer DMTH6004SCT
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.65 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3
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