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| Artikelnummer | DMTH10H005LCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3688pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 187W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 13A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 100V 108A TO220AB
Auf Lager: 79
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
Auf Lager: 2400
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
Auf Lager: 25000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 100V 28A TO252
Auf Lager: 0
