Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMTH10H005LCT

Diodes Incorporated DMTH10H005LCT

Número da peça
DMTH10H005LCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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1.15000/pcs
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Parâmetro do produto
Número da peça DMTH10H005LCT
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3688pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Pacote / Caso TO-220-3
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