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| Numero di parte | DMP32D4SW-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 51.16pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P CH 30V 17A TO252
Disponibile: 45000
