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| Numero di parte | CDM22011-600LRFP SL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.05nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 763pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Disponibile: 744
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP
Disponibile: 595
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A
Disponibile: 485
