Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli CDM22010-650 SL

Central Semiconductor Corp CDM22010-650 SL

Numero di parte
CDM22010-650 SL
fabbricante
Central Semiconductor Corp
Descrizione
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Central Semiconductor Corp.

Central Semiconductor Corp.

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In stock 1860 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    1.10500/pcs

  • 10 pcs

    1.04700/pcs

  • 100 pcs

    0.84150/pcs

  • 500 pcs

    0.65450/pcs

  • 1,000 pcs

    0.54230/pcs
Totale:1.10500/pcs Unit Price:
1.10500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte CDM22010-650 SL
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1168pF @ 25V
Vgs (massimo) 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
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