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| Numero de parte | CDM22011-600LRFP SL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23.05nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 763pF @ 100V |
| Vgs (Max) | 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220FP |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 10A 650V TO220
En stock: 744
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP
En stock: 595
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 800V 12A
En stock: 485
