| Numéro d'article | RF1603ASQ |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Fréquence - Basse | DC |
| Fréquence - Upper | 2.5GHz |
| Isolement @ Fréquence | 28dB @ 3.5GHz (typ) |
| Perte d'insertion @ Fréquence | 0.7dB @ 3.5GHz |
| IIP3 | 73dBm (typ) |
| Topologie | Reflective |
| Circuit | SP3T |
| P1dB | - |
| Caractéristiques | DC Blocked |
| Impédance | 50 Ohm |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C |
| Tension - Alimentation | 2.2 V ~ 2.7 V |
| Type RF | CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA |
| Paquet / cas | 12-UFQFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 12-QFN (2.5x2.5) |
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
En stock: 715
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricant: Rohm Semiconductor
La description: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
En stock: 0