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| Artikelnummer | RF1603ASQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Frequenz - niedriger | DC |
| Häufigkeit - Obere | 2.5GHz |
| Isolation @ Frequenz | 28dB @ 3.5GHz (typ) |
| Einfügedämpfung @ Frequenz | 0.7dB @ 3.5GHz |
| IIP3 | 73dBm (typ) |
| Topologie | Reflective |
| Schaltung | SP3T |
| P1dB | - |
| Eigenschaften | DC Blocked |
| Impedanz | 50 Ohm |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C |
| Spannungsversorgung | 2.2 V ~ 2.7 V |
| RF-Typ | CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA |
| Paket / Fall | 12-UFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-QFN (2.5x2.5) |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Auf Lager: 715
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A MSR
Auf Lager: 0
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Auf Lager: 0
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Auf Lager: 0
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
Auf Lager: 0
