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| Numéro d'article | NTMS4P01R2 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 9.6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 790mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: ON Semiconductor
La description: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
En stock: 2500
