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| Número da peça | NTMS4P01R2 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 12V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 9.6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 790mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Em estoque: 2500
