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| Numero de parte | NTMS4P01R2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 9.6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 790mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
En stock: 2500
