Numéro d'article | APT47N60SC3G |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7015pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 417W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | D3 [S] |
Paquet / cas | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355