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| Numero de parte | APT47N60SC3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7015pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3 [S] |
| Paquete / caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
