Numéro d'article | APT37M100L |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1135W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 18A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-264 |
Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
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