Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices DMN32D2LDF-7

Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7

Numéro d'article
DMN32D2LDF-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'articleDMN32D2LDF-7
État de la pièceActive
FET Type2 N-Channel (Dual) Common Source
FET CaractéristiqueLogic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds39pF @ 3V
Puissance - Max280mW
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseurSOT-353
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