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| Artikelnummer | DMN32D2LDF-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 400mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 3V |
| Leistung max | 280mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-353 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Auf Lager: 1626000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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