| Numero de parte | DMN32D2LDF-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 3V |
| Potencia - Max | 280mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-353 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
En stock: 1626000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
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